世界的半導(dǎo)體市場(chǎng)此前一直以美韓日廠商唱主角，現(xiàn)在中國企業(yè)正試圖參與進(jìn)來，而中國企業(yè)的巨額投資很有可能成為半導(dǎo)體市場(chǎng)混亂的風(fēng)險(xiǎn)因素。
      在全球股市上，半導(dǎo)體相關(guān)股正在成為熱點(diǎn)。美國費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)(SOX)在1100點(diǎn)左右，這是2000年IT泡沫以來的高水平。但半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在步入一個(gè)未知的階段，其中一個(gè)要素就是中國。
      矛頭指向中國有失公允
      眾所周知，無論日經(jīng)中文，或是西方的有些論點(diǎn)把矛頭指向中國半導(dǎo)體業(yè)是不公平的。任何國家都有權(quán)決定自身的發(fā)展策略，而中國要發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)是歷來已久，每年進(jìn)口芯片金額在千億美元數(shù)量級(jí)，而自主生產(chǎn)才近10%，因此要改變不合理的現(xiàn)狀是一件天經(jīng)地義的事。
      客觀地說，此次中國半導(dǎo)體業(yè)的突破與之前大不同，它是首先抓住發(fā)展產(chǎn)業(yè)的命脈資金問題。盡管“大基金”是國家基金，但是它釆用入股企業(yè)的方法，并要求投資取得回報(bào)，與國際上通用的作法是一致的，僅是數(shù)量上及時(shí)間點(diǎn)讓全球業(yè)界感覺“來勢(shì)洶洶”而己。即便如此與全球領(lǐng)先者如三星，臺(tái)積電等相比也是相形見拙，更何況它僅是一個(gè)計(jì)劃，未來真的能投入多少?以及在多長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)能投得進(jìn)去?尚需要觀察。
      市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)與攪局者
      只要是公平的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，有“攪局者”不一定是件“壞事”。它改變現(xiàn)狀，推動(dòng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，在新的態(tài)勢(shì)下達(dá)到新的平衡，是產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的表現(xiàn)。
      觀察近期全球半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展中，“攪局者”并不少見，是必然的趨勢(shì)。如全球代工中，三星是異軍突起，也可看作是一家“攪局者”。它揚(yáng)言今年它的代工營(yíng)收要超過居第二位的格羅方德，并要與代工老大臺(tái)積電有一心比拼，顯見三星要改變?nèi)虼さ母?jìng)爭(zhēng)格局。
      在全球半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)中，在今年的Semicon West中ASML重申它的EUV光刻機(jī)將很快步入實(shí)用化，在兩年內(nèi)光源功率提升至產(chǎn)業(yè)要求的250瓦水平。目前己在全球共安裝了14臺(tái)，客戶包括英特爾，三星，臺(tái)積電及格羅方德，未來尚有21臺(tái)等待發(fā)貨，其中英特爾是大戶。
      眾所周知，從全球半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展中先進(jìn)工藝制程競(jìng)賽一直是個(gè)“熱點(diǎn)”，臺(tái)積電，三星，英特爾，甚至格羅方德都聲言可能走在前列，誰也不干落后。目前采用浸液式光刻方法己可達(dá)7納米，將于2018年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，但是要使用三次或者四次圖形曝光工藝，它大大增加產(chǎn)品的周期與成本。如果改用EUV光刻工藝，將有效的簡(jiǎn)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)，并與三次或者四次圖形曝光工藝相比較，從成本方面可能節(jié)省。因此EUV光刻工藝的導(dǎo)入，在全球半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展中是一次質(zhì)的飛躍，是延伸“定律”的有力武器。它有可能改變目前芯片制造商中前幾位的排名，并對(duì)未來半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。所以EUV光刻設(shè)備的導(dǎo)入也可看作是一個(gè)“攪局者”，而且是一個(gè)強(qiáng)有力的“攪局者”。因此對(duì)于“誰是攪局者”不能有“雙重標(biāo)準(zhǔn)”，應(yīng)該一視同仁，從根本上它們可能都是推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)持續(xù)的進(jìn)步。
      中國廠商加入存儲(chǔ)器行列
      歷史上在半導(dǎo)體業(yè)中，凡是打“翻身仗”都是從存儲(chǔ)器下手，己經(jīng)實(shí)現(xiàn)過兩次，一次是日本超過美國，及另一次是韓國超過日本。如今此次是中國半導(dǎo)體準(zhǔn)備崛起，它的目的不一樣，也不可能有任何超越韓國存儲(chǔ)器老大的想法。
      此次中國存儲(chǔ)器的突破，主要是為了自用，目的是提高芯片的國產(chǎn)化率。據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，2016年全球存儲(chǔ)器銷售額超過800億美元，而中國的市場(chǎng)大約消耗其中的25%以上。為此中國半導(dǎo)體業(yè)為了減少進(jìn)口，增加國產(chǎn)化率，目前有三股力量，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥睿力及福建晉華，分別聚焦不同的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。就目前的進(jìn)度，三家都處在建廠及技術(shù)與人才準(zhǔn)備階段，實(shí)際上離開量產(chǎn)尚有一段距離，可能尚不能言及最終成功。
      近20年以來，只看見有退出存儲(chǔ)器業(yè)的，如德國的奇夢(mèng)達(dá)，以及美光兼并日本的爾必達(dá)，全球未見有任一新加入者，反映它的入門檻高，競(jìng)爭(zhēng)太激烈。所以此次中國半導(dǎo)體業(yè)要突破存儲(chǔ)器引起全球業(yè)界的警覺是合乎情理的，但是也要客觀與公正，不應(yīng)該扼殺中國半導(dǎo)體的自主需求。
      在全球存儲(chǔ)器業(yè)中，可能相對(duì)競(jìng)爭(zhēng)更為激烈，一方面是DRAM繼續(xù)向1x納米進(jìn)軍，從縮小尺寸角度，15納米可能是極限。三星肯定走在最前面，目前它擁有DRAM及NAND閃存產(chǎn)能各有40萬片(12 inch WPM)。而另一方面在2D NAND向3D NAND轉(zhuǎn)移中，三星、美光、東芝、西數(shù)、海力士等都揚(yáng)言近期要開始64層3D NAND的量產(chǎn)出貨，并全力向96層3D NAND挺進(jìn)。而中國的長(zhǎng)江存儲(chǔ)是一個(gè)“新進(jìn)者”，它僅是可能于2018年出貨32層3D NAND，離開三星等的差距至少2代以上。
      分析天時(shí)，地利與人和在中國似乎都具備了一定的條件，但是在存儲(chǔ)器芯片制造的突破時(shí)必須十分清醒，僅擁有大的市場(chǎng)與足夠的投資可能還不一定能獲得最后的成功，它需要有專業(yè)人材的配合及詳情的專利應(yīng)對(duì)策略，并要有一股氣勢(shì)與勇氣，關(guān)鍵是能把制造成本降下來，需要加強(qiáng)芯片生產(chǎn)線的嚴(yán)格管理。
      至此對(duì)于中國存儲(chǔ)器業(yè)的突破，外界幾乎都并不看好。然而在全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)進(jìn)行大轉(zhuǎn)移的時(shí)刻，中國半導(dǎo)體業(yè)主要為了自用，勇于加入，希望能得到一個(gè)公平競(jìng)爭(zhēng)的機(jī)會(huì)。而且現(xiàn)階段盡管中國半導(dǎo)體業(yè)有三股力量在集結(jié)，但是從理性分析，在2020年之前這些芯片生產(chǎn)線仍處在產(chǎn)能爬坡階段，它們的銷售額都不會(huì)太高。
      全球存儲(chǔ)器業(yè)總是周期性的起伏，只有堅(jiān)持到底，不懼怕暫時(shí)的虧損，才有可能成功。盡管Gartner按以往的經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行了預(yù)測(cè)，認(rèn)為2019年時(shí)存儲(chǔ)器業(yè)可能進(jìn)入下降周期。顯然中國的存儲(chǔ)器不可能趕上2019年之前的榮景，把希望寄于在下一波存儲(chǔ)器的上升周期中能有令人滿意的表現(xiàn)。
      中國半導(dǎo)體業(yè)在存儲(chǔ)器中的突破，首先是為了滿足自用需求，與三星等先進(jìn)廠商之間尚有很大的差距，也沒有實(shí)力來挑戰(zhàn)臺(tái)積電，三星及英特爾等巨頭。但是由于中國的加入，全球存儲(chǔ)器業(yè)中后幾位的排名可能會(huì)發(fā)生改變。
      中國半導(dǎo)體業(yè)必須十分淸醒，一定要循序前進(jìn)，尊重知識(shí)產(chǎn)權(quán)，與全球存儲(chǔ)器業(yè)者開展公平的競(jìng)爭(zhēng)，爭(zhēng)取做一名受同仁尊敬的“攪局者”。